Introduction à la modélisation des dispositifs semi-conducteurs - Relié

par Snowden C M (Auteur)

Ce livre traite principalement des modèles physiques de dispositifs développés à partir de la physique du transport de porteurs et des considérations de géométrie des dispositifs. Le texte se concentre sur les dispositifs à base de silicium et d'arséniure de gallium et comprend des modèles de transistors bipolaires à jonction en silicium, de transistors à effet de champ à jonction (JFET), de MESFET, de MESFET en silicium et en GaAs, de dispositifs à électrons transférés, de diodes à jonction pn et de diodes varactor Schottky. Les techniques de modélisation de dispositifs plus récents tels que les transistors bipolaires à hétérojonction (HBT) et les transistors à haute mobilité électronique sont abordées. Ce livre contient des détails sur les modèles pour les conditions de transport à l'équilibre et hors équilibre. La technique de modélisation des dispositifs à petite échelle est discutée et des techniques applicables aux dispositifs de dimension submicronique sont incluses. Une section sur les techniques modernes d'analyse du transport quantique est incluse. Des détails sur les schémas numériques essentiels sont donnés et une variété de modèles de dispositifs sont utilisés pour illustrer l'application de ces techniques dans divers domaines.